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罗姆推出激发GaN器件性能栅极驱动器IC
文章字数:301
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件 的 栅 极 驱 动 器 IC“BD2311NVX-LB”。
  近年来,在服务器系统等领域,由于IoT设备的需求日益增长,电源部分的功率转换效率提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题,而这就要求功率元器件的不断优化。另外,不仅在自动驾驶领域,在工业设备和社会基础设施监控等领域应用也非常广泛的LiDAR*1,也需要通过高速脉冲激光照射来进一步提高识别精度。
  新产品已于2023年9月开始量产(样品价格900日元/个,不含税)。
  ROHM拥有有助于节能和小型化的GaN器件产品阵容——“EcoGaNTM”系列产品,未来,ROHM将通过提供与更大程度地激发出这些GaN器件性能的栅极驱动器IC相结合的电源解决方案,为实现可持续发展社会贡献力量。
  李华
发布日期:2023-10-24